پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

این مطلب توسط :مانی در تاریخ: جمعه 25 دی 1394 ساعت: 12:14 در سایت ارسال شده است.
تعداد بازديد : 253 نظرات ()

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

سیستم همکاری در فروش فایلینا fileina فایلینا دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور
MOSFET
ترانزیستور MOSFET
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانااکسیدفلز
(metal–oxide–semiconductor fieldeffect transistor ( MOSFET
اثر میدان
مدارهای آنالوگ و دیجیتال
تقویت کننده متداول
پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
سیستم همکاری در فروش فایلینا
fileina
فایلینا
دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

دسته بندی	برق، الکترونیک، مخابرات
فرمت فایل	ppt
حجم فایل	1967 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	101

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود .

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

کلمات کلیدی:

ترانزیستور

MOSFET

ترانزیستور MOSFET

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز

(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ( MOSFET

اثر میدان

مدارهای آنالوگ و دیجیتال

تقویت کننده متداول

فهرست:

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

ترانزیستور NMOS

ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ VDS

اشباع ترانزیستور

جریان در ناحیه تریود

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستور NMOS

مشخصه iD-VDS

مقاومت کانال

که مستقل از ولتاژ VDS است.

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS

مقاومت خروجی

اثر بدنه

اثر حرارت

(Weak avalanche)

مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC

استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده

تقویت کننده متداول یعنی سورس مشترک (Common Source) که در آن سورس زمین شده، بین ورودی و خروجی تقویت کننده مشترک است.

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند

بایاس از طریق مقاومت فیدبک

بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت

نقطه بایاس DC

شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع

جریان سیگنال در درین

گین ولتاژ

مدار معادل سیگنال کوچک

برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک

گین سیگنال کوچک

مقدار مقاومت ورودی

آنالیز DC

مدل T

تقویت کننده سورس مشترک

مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک

تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس

تقویت کننده گیت مشترک

مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک

مشخصات تقویت کننده گیت مشترک

مقدار مقاومت خروجی:

مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک

کاربرد تقویت کننده گیت مشترک

تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower

مدل سیگنال کوچک

عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ

بدست آوردن نقطه کار

مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS

بخش نظرات این مطلب

برای دیدن نظرات بیشتر روی شماره صفحات در زیر کلیک کنید

نمایش کلیه نظرات

تبلیغات هزار

پربیننده ترین مطالب سایت:

آخرین مطالب سایت:

حل المسائل جزوه طراحی خطوط انتقال انرژی (سید محمدرضا نوحی)